NAND フラッシュメモリー

NAND フラッシュメモリーは現在 2 番目に大きい IC 製品カテゴリーで、2018 年の収益は 2017 年から 18% 増加して 600 億ドルを超えています。この成長を後押ししたのは、高い平均販売価格、データセンターサーバーストレージでのソリッドステートドライブの使用増加、スマートフォンのメモリー容量の拡大です。

NAND 市場は現在、Samsung、東芝メモリ、Western Digital、Micron、SK hynix、Intel によって占められていますが、YMTC などの中国ベンダーからの大規模な投資も確認されています。

この分野で当社が確認した技術革新には、過去 5 年間だけで、最小加工寸法 14 nm でのダブルパターニングからクアドルプルパターニングへの移行、エアギャップの広い普及、14/15 平面部品のフル生産、3D/V-NAND 製品の発売などがあります。

将来的には、ニッチなアプリケーション以外では平面構造は姿を消していくでしょう。3D 92L/96L はすでに製品化されており、128L/144L/192L も今年か来年には市場に出るとみられます。「4D NAND」とは SK hynix バージョンの CuA (CMOS under Array) とみられ、Xtacking とはアレイ上に CMOS を積層して面積を縮小する YMTC のプロセスです。

NAND flash memory roadmap

テックインサイツが提供する価値

NAND 技術の進歩に合わせて、NAND 関連 の知財戦略も発展させる必要があります。NAND の技術革新は、業界の主要プレーヤーや特許保有企業だけでなく製造手法やメモリー密度、ビット単価まで、事実上 NAND エコシステムのあらゆる側面に影響を及ぼします。さらに、急速に進歩するこの分野で該当する侵害証拠を発見するには、リバースエンジニアリング技術を継続的に発展させていく必要があります。

テックインサイツの解析

テックインサイツは、ティアダウン/コスト計算、フロアプラン/ノード、設計要素、回路、プロセス/パッケージング、プロセスフロー解析を含む幅広い解析手法を使用して、NAND 製品に認められた技術革新を観察、調査してレポートを作成します。

メモリーサブスクリプション

テックインサイツのメモリーサブスクリプションに含まれる NAND 解析では、以下の解析を提供しています。

解析の範囲

  • 最先端の平面型 NAND と 3D NAND に着目
  • パッケージ画像、X 線画像
  • CircuitVision (回路解析) による最上層部メタルの光学顕微鏡画像と複数のダイ画像
  • CircuitVision (回路解析) による最上層部メタルの光学顕微鏡画像と複数のダイ画像
  • プロセス、設計、比較、解析チームによる概要レポート
  • MFR レポート: 年間 13~15 本
テックインサイツのライブラリ

この分野の知財戦略を効果的に策定するには、NAND フラッシュにおける画期的な出来事を常に認識し、市場の主要プレーヤーや新規参入企業に対する知識を得て、リバースエンジニアリング技術を正しく応用して、最新の NAND 技術について世代交代で生じた変化を把握する必要があります。